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Auch in der Halbleiterindustrie soll bald Jenoptik-Technologie einziehen. Das Joint-Venture XTREME technologies GmbH des japanischen Konzerns Ushio und der Jenoptik entwickelt Lichtquellen im extrem ultravioletten Spektralbereich (EUV), die in der Chipproduktion zukünftig Strukturen von weniger als 32 Nanometern ermöglichen sollen - das entspricht Leiterdurchmessern von gerade noch etwa 100 Atomlagen. Dazu bedient sich Xtreme des extrem ultravioletten Spektrums, das jenseits des sichtbaren Lichts im weichen Röntgenspektrum liegt. Im vergangenen Jahr nahm man eine neue Stufe: Die EUV-Gasentladungsplasmaquellen erreichten eine nutzbare Leistung von 10 Watt und kommen dem industriellen EUV-Einsatz erneut ein ganzes Stück näher.
Neben dem Plasmagenerator, der die EUV-Strahlung aussendet, gehört ein hoch präziser Kollektorspiegel zur Ausstattung der Lichtquelle - und damit ein optisches System, das die EUV-Strahlung in gewünschter Weise formt und an den Eingang des Waferbelichters lenkt. Es entstand in Kooperation mit Carl Zeiss und der italienischen Firma Media Lario.
Zudem erntete Xtreme technologies 2006 erste Früchte ihrer außerordentlich flexiblen Forschungen: Von Anfang an hatte das Unternehmen zwei Pfade der EUV-Entwicklung vorangetrieben - den der laserinduzierten Plasmen und den der Gasentladungsplasmen. Beide wurden jetzt zur lasergestützten Gasentladungs-EUV-Quelle vereint. Dabei verdampft ein schwacher Laserstrahl ein Zinntröpfchen und heizt es weiter bis zum Plasma auf. Dieses Plasma wird im Anschluss durch eine Gasentladung zwischen zwei rotierenden Elektroden extrem aufgeheizt und verstärkt. So entsteht eine besonders effiziente Strahlquelle.
Wird dieses Prinzip weiter verfolgt, ließen sich noch weit höhere Leistungen erzielen, sind sich die Forscher von Xtreme sicher. Damit wäre der Mindestleistungsbedarf für die Massenproduktion in der Halbleiterindustrie erfüllt.
Mehrere Quellen von Xtreme mit einer Leistung von bis zu drei Watt werden bei Halbleiterherstellern und Halbleiterkonsortien eingesetzt, um die neuen Chipherstellungsprozesse zu entwickeln. Nach heutigem Stand geht EUV ab 2010 in die Vorproduktion der Chiphersteller. Xtreme technologies kooperiert mit einer Reihe von Unternehmen der Halbleiter- und Halbleiterzuliefer-Industrie in Europa, Japan und den USA, um die EUV-Technologie möglichst schnell zur Serienreife zu bringen. Das Unternehmen wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Europäischen Union gefördert.
Abgesehen von Xtreme-Lasern handelt es sich bei den meisten Jenoptik-Lasern um diodengepumpte Festkörperlaser, besonders in deren Sonderform des Scheibenlasers, dessen sich die Jenoptik frühzeitig angenommen hat. In beiden Fällen handelt es sich eigentlich um zwei Laserquellen: Das Licht aus dem Diodenlaser regt den Laserkristall eines Festkörperlasers an, Laserlicht zu emittieren. An den dazu nötigen Hochleistungsdiodenlasern arbeiten die Unternehmen der Jenoptik-Diodenlasergruppe. Sie hatten den Markt in den vergangenen Jahren mit besonders zuverlässigen und langlebigen Hochleistungsdiodenlasern auf sich
aufmerksam gemacht. In einem Gemeinschaftsprojekt mit der Jena-Optronik GmbH bereitet die Jenoptik Laserdiode ihr Produkt nun für den Einsatz im All vor.