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Fachwelt diskutiert den neuesten Entwicklungsstand auf dem 3. Internationalen Symposium für Extrem-Ultra-Violett-Lithographie in Japan.
XTREME technologies, das Gemeinschaftsunternehmen der JENOPTIK AG, Jena, und der Lambda Physik, Göttingen, hat mit einer EUV-Strahlquelle extrem ultraviolette (EUV) Strahlung von 50 Watt Leistung erzeugt. Dies ist die höchste EUV-Leistung, die bei einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern weltweit jemals erzielt wurde. Die Forschungsergebnisse präsentiert XTREME technologies auf dem 3. internationalen Symposium für Extrem Ultra-Violett Lithographie (EUVL), das vom 1. bis 4. November dieses Jahres in Miyazaki (Japan) stattfindet.
Die erzielten 50 Watt Ausgangsleistung der EUV-Strahlquelle entsprechen nahezu der Hälfte der Leistung, die für die Chipfertigung mit EUV-Lithographie tatsächlich benötigt wird. Mit den erzielten Ergebnissen trägt die XTREME technologies zum Erreichen des Ziels bei, die EUV-Technologie ab 2009 zur Massenfertigung in der Halbleiterindustrie einzusetzen. Da die Testphase für neue Technologien in der Halbleiterindustrie in der Regel drei Jahre vor Anlauf der Massenproduktion beginnt, sollen die EUV-Quellen schon im Jahr 2006 eine Leistung von 115 Watt im Zwischenfokus (dies ist die verfügbare Leistung für die Belichter) bereitstellen. Um dieses Ziel zu erreichen kooperiert XTREME technologies weltweit mit einer Vielzahl von Unternehmen und Forschungseinrichtungen in Japan, den USA, Großbritannien, den Niederlanden, Frankreich, Russland, Polen und Deutschland.
In den letzten drei Jahren war das Entwicklerteam der XTREME technologies GmbH wiederholt erfolgreich, die jeweils effizientesten EUV-Quellen zu entwickeln und der EUV-Lithographieentwicklung zur Verfügung zu stellen. Erste EUV-Quellen wurden im Frühjahr 2003, deutlich früher als erwartet, an die britische Firma Exitech ausgeliefert und von Exitech in Mikrobelichter (Micro Exposure Tools - MET) integriert.
Gefördert wird XTREME technologies vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Europäischen Union. XTREME technologies Geschäftsführer Dr. Uwe Stamm ist Projektleiter im EUV-Quellenentwicklungsprojekt des europäischen Mikroelektronik-Programms MEDEA+ (Micro-Electronic Development for European Applications). "Wir sind sehr optimistisch, die Leistungsanforderungen der Halbleiterindustrie für den Beginn der Massenproduktion mittels extrem ultravioletter Lithographie im Jahr 2009 zu erreichen. Die zukünftig größte Herausforderung in der Quellenentwicklung besteht darin, die Verschmutzung während des Quellenbetriebes zu kontrollieren," so Stamm.
Die XTREME technologies GmbH ist ein Joint Venture der JENOPTIK AG und der Lambda Physik. Gegründet 2001 verfolgt XTREME technologies das Ziel der Entwicklung, Fertigung und Vermarktung von EUV-Quellen mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für die nächste Generation der Lithographie und für Messsysteme in der 
Halbleiterindustrie und verbundenen Nanotechnologiemärkten.
Mehr Informationen zur EUV-Strahlquelle finden Sie unter: http://www.xtremetec.de/