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Laser & Materialbearbeitung
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Epitaxie - Epitaktische Schichtstrukturen

2, 3 und 4 Zoll Wafer
2, 3 und 4 Zoll Wafer
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2, 3 und 4 Zoll Wafer Prüfung der Wafer Herstellung von Epitaxieschichten Produktionsreaktor für die Herstellung von Epitaxieschichten

Die Epitaxie von Wafern gehört zu den Fachkompetenzen im Hause Jenoptik. Wir bieten Ihnen die Herstellung einer hochqualitativen Halbleiter-Schichtstruktur entsprechend Ihrer Vorgaben. Das epitaktische Wachstum einer Schichtstruktur auf 2”, 3”, 4” und 6” Wafern bildet dabei die Basis für die Fertigung von verschiedenen Bauelementen, wie z.B.

  • Laserdioden: Wellenlängen von 630 - 1200 nm
  • Oberflächenemitter (VCSELs und VECSELs)
  • Leuchtdioden (RCLEDs und LEDs)
  • Schottky-Dioden
  • Detektorstrukturen

Unser überwachter MOCVD / MOVPE Fertigungsprozess mit strengen Qualitätskontrollen sichert von Anfang bis Ende eine beständig hohe Qualität.

PDF Epitaxie Wafer Dienstleistung (168 KB)

 


Epitaxie-Merkmale


Epitaxie-Vorteile

  • Schichtstrukturen im Materialsystem Al-In-Ga-As-P 
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Beständig hohe Qualität
  • Wafer für verschiedene Bauelemente
  • Kundenspezifische Schichtstrukturen
  • Kurze Entwicklungszyklen
  • Hohe Flexibilität
  • ­Niedrige Entwicklungskosten
  • Kurze Vorlaufzeiten
  • Konkurrenzfähige Preise


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Vertrieb Laser
+ 49 3641 65-3053
+ 49 3641 65-4011

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